课程介绍
Aurivillius 相氧化物材料同时具有室温铁电与铁磁性。对这些材料进行不同的元素掺杂，可以有效调 控它们的铁电/铁磁性能。长期以来，它们的铁磁性被认为来源于晶格畸变导致的磁性离子的 Dzyaloshinskii-Moriya (DM)相互作用。然而，这种晶格畸变没有得到充分的实验证明。在这里，我们使用 脉冲激光沉积（PLD）技术制备了 Bi6Fe2Ti3O18,Bi6FeCoTi3O18 以及 LaBi5FeCoTi3O18 外延单晶薄膜， 使用软 X 射线吸收（XAS）与共振非弹性 X 射线散射（RIXS）技术系统地研究了薄膜的电子结构。XAS 与 RIXS 的测试结果揭示 Co 与 La 的掺杂能够调控薄膜电子结构。对 RIXS 实验结果的理论模拟证明这种 电子结构的变化来源于薄膜 FeO6 与 CoO6 氧八面体晶体场的调控。这一结果能够与晶格畸变导致的氧八 面体变形相联系。
长沙市工商行政管理局